na 2024/11/4 82

1N5711 Schottky Diode: alternative, funkcije in podatkovni list

Dioda 1N5711 Schottky izstopa zaradi svoje sposobnosti preklapljanja z izjemnimi hitrostmi, združena z značilno nizko padcem napetosti naprej.Ta članek se poglobi v značilnosti in aplikacije 1N5711, kar poudarja velik prispevek k okolju prijaznemu napredku tehnologije.Z raziskovanjem njegovih lastnosti in praktičnih izvedb želimo predstaviti celovito razumevanje njegovega vpliva na sodobno oblikovanje in uspešnost elektronike.

Katalog

Pregled 1N5711

The 1N5711 Dioda tesno meša kovine in silicij, kar ji dovoli, da doseže ne le izjemno visoko razpadno napetost, ampak tudi izjemno hitre preklopne zmogljivosti.Njegova učinkovita uporaba pri odkrivanju in impulznih nalogah UHF/VHF je posledica obsežnega operativnega območja.Paket DO-35 Diode ponuja zanesljivost s pragom naprej 15mA, povezan s naprej napetostjo pred 0,41 V.S svojo združljivostjo s standardnimi vodilnimi metodologijami je enostavna uporaba za procese pritrditve skozi luknje, kar dodaja njegovo funkcionalno privlačnost in prispeva k občutku inženirskega zadovoljstva.

1N5711 PIN konfiguracija

1N5711 simbol in model CAD

Značilnosti 1N5711

Utrjena zaščitna plast

Dioda 1N5711 vključuje utrjeno zaščitno plast, ki povečuje njegovo sposobnost, da prenese nenadne napetostne sunke.Ta plast zmanjšuje tveganje za poškodbe zaradi nenadnih napetostnih konic, kar diodi nudi daljšo operativno življenjsko dobo.Taka zasnova iz prejšnjih elektronskih napak zaradi nezadostne pretirane napetosti, kar je pogosto povzročilo drage izpade in popravila.

Izjemno nizka aktivacijska napetost

Kar resnično razlikuje 1N5711, je njegova izjemno nizka aktivacijska napetost.Ta funkcija omogoča, da dioda sproži tok toka z minimalno napetostjo in se dobro posoda za energijsko učinkovite modele vezja.V sodobni elektroniki, kjer je ohranjanje energije pogosto v ospredju, ta lastnost prispeva k zmanjšanju operativnih stroškov in podaljšanju življenjske dobe baterije z zmanjšanjem izgube energije med pretvorbo napetosti.

Ultra hitra hitrost preklopa

Ultra hitra hitrost preklopa na ravni pikosekund na picosekund je dokončna značilnost.To hitro preklapljanje omogoča takojšnje prehode, ki so dobri v visokofrekvenčnih aplikacijah, predvsem RF in mikrovalovnim vezjem.Z zmanjšanjem zamude izboljša hitrost in zmogljivost elektronskih naprav.Ta značilnost priča o nenehnih izboljšavah v polprevodniški tehnologiji, ki odmeva napredovanje industrije v bolj okretne in odzivne komponente.

1N5711 Specifikacije

Tip	Parameter
Tovarniški čas	15 tednov
Monta	Skozi luknjo
Število zatičev	2
Gradivo za diodne elemente	Silicij
Število elementov	1
Embalaža	Trak in kolut (TR)
Status dela	Aktivno
Število odpovedi	2
ECCN koda	EAR99
HTS koda	8541.40.00.70
Napetost - ocenjena DC	70V
Trenutna ocena	15mA
Število pin	2
Kontaktirajte prevleko	Kositer
Paket / ohišje	DO-204AH, DO-35, AXIAL
Teža	4.535924G
Razčlenitev napetosti / v	70V
Delovna temperatura	-65 ° C ~ 200 ° C TJ
Koda JESD-609	E3
Raven občutljivosti vlage (MSL)	1 (neomejeno)
Odpoved	Osi
Dodatna funkcija	Hitro preklapljanje
Kapacitivnost	2pf
Oblika terminala	Žica
Osnovna številka dela	1N57
Polarnost	Standardno
Vrsta diode	Schottky - samski
Izhodni tok	15mA
Naprej tok	15mA
Naprej napetost	1V
Vrhunski povratni tok	200NA
Kapacitivnost @ VR, F	2pf @ 0V 1MHz
Zunanji premer	1,93 mm
Vzvratna napetost (DC)	70V
Višina	2 mm
Širina	2 mm
Utrjevanje sevanja	Ne
Brez vodi	Brez vodi
Odvajanje moči	430MW
Povezava primera	Izolirano
Največji tok obratnega uhajanja	200NA
Povratni čas obnovitve	100 ps
Največja ponavljajoča se povratna napetost (VRRM)	70V
Vzvratna napetost	70V
Največja temperatura stičišča (TJ)	200 ° C.
Premer	2 mm
Dolžina	4,5 mm
Doseči SVHC	Brez SVHC
Status ROHS	ROHS3 skladen

Funkcionalni blok diagram 1N5711

Uporaba diode 1N5711

UHF/VHF zaznavanje signala

Dioda 1N5711 postane uporaba pri odkrivanju signala UHF/VHF, predvsem zaradi njegovih hitrih zmogljivosti preklopa in nizke kapacitivnosti.Te funkcije pomagajo pri rafiniranju in izboljšanju sprejema signala, kar odraža globoko hrepenenje po jasnejših telekomunikacijah.Z zmanjšanjem popačenja signala dioda zagotavlja izboljšano delovanje v komunikacijskih sistemih, s čimer se odmeva skupno razumevanje v panogah, kjer se jasnost na dolgih razdaljah pogosto pojavlja kot osrednja točka.

Ravnanje impulzov z ekspanzivnim dinamičnim razponom

Pri impulznih aplikacijah je znanje diode za upravljanje širokega dinamičnega območja kot izrazito sredstvo.Njegov hiter odziv in prilagodljivost spreminjanja intenzivnosti signala omogočata nemoteno ravnanje z zapletenimi elektronskimi operacijami.Lekcije, narisane iz polj analognega in digitalnega vezja, osvetljujejo vsestransko uporabnost diode, ki osvetljujejo njegovo dinamično upravljanje razpona kot pot do doseganja operativne natančnosti in stabilnosti.

Varnost naprav MOS

1N5711 diode kompetentno ščitijo občutljive naprave MOS zaradi škode zaradi napetostnih konic, ki je zapletena plat njegove zasnove.Swift čas okrevanja zagotavlja hitro vpenjanje prehodnih, kar zagotavlja zanesljivo oviro pred prenapetostnimi grožnjami.Ta značilnost je pomembna v elektroniki, kjer strateško izvajanje zaščitnih ukrepov postane skoraj ritual natančnosti.

Agilno preklapljanje v vezjih z nizko logiko

Zmožnost diode za učinkovito preklapljanje v nizkih logičnih nivojih je optimalna izbira za omejitev izgube energije in povečanje učinkovitosti vezja.V potrošniški elektroniki koristijo njegovi zmogljivosti, da podpira integriteto in hkrati zmanjšuje porabo energije, kar sproži inovacije v prenosnih modelih naprav.

Večplastne aplikacije 1N5711 Diode

Preučevanje raznolikih aplikacij diode 1N5711 razkriva svojo vlogo v sodobni elektroniki.Njegova uspešna spopadanje z zapletenimi izzivi v različnih aplikacijah poudarja edinstvene zahteve za izbiro in vključevanje komponent.Ta pripoved pomeni neprekinjeno izmenjavo med teoretičnimi koncepti in praktičnim izvajanjem, ki vodi napredek v elektronskem inženiringu.

1N5711 ekvivalenti in alternative

Del	Proizvajalci	Kategorija	Opis
JANTX1N5711-1	Microsemi	TVS diode	Jantx serija 70V 33mA skozi diodo Hole Schottky - DO -35
JANTXV1N5711-1	Microsemi	Diode	Diode Schottky 70V 0,033a 2pin DO-35
NTE583	NTE Elektronika	Schottky diode	NTE Electronics NTE583 RF Schottky Diode, Single, 70V, 15MA, 1V, 2PF, DO-35
UF1001-T	Vgrajene diode		Skozi luknjo do-204al, DO-41, AXIAL 1 V 50 V 50 NS št Enotni svinci brezplačno
1N4001G-T	Vgrajene diode		Skozi luknjo DO-204AL, DO-41, AXIAL 1 V 50 V 2 μs št Enotni svinci brezplačno
1N5400-T	Vgrajene diode		Skozi luknjo do -201ad, aksialni 1 V 50 V - Brez enega samega svinca Brezplačno

Dimenzije 1N5711

1N5711 Informacije o proizvajalcu

Stmicroelectronics se razlikuje v vrhunskih inovacijah polprevodnikov, kar oblikuje napredovanje današnjih elektronskih naprav.Ta analiza se osredotoča na to, kako to podjetje povečuje povezljivost in učinkovitost v različnih panogah, hkrati pa razkriva širše vplive na tehnološki sferi.Pomembno opazovanje nastane pri razmišljanju o obsežnem številu ponudb Stmicroelectronics: mešanica inovacij in aplikacij poudarja njihovo vodstvo v panogi.Podpiranje tega ravnovesja izboljšuje njihovo sposobnost zagotavljanja transformativnih rešitev, spodbujanje drugih akterjev ekosistemov, da se skupaj prilagodijo in inovirajo.Ta strateški pristop jim ne daje le konkurenčne prednost, ampak tudi neguje skupno rast, kar spodbuja brezhiben prehod v prihodnja tehnološka okolja.

PDF podatkovnega lista

1N5711 podatkovni listi:

Naložki cilindričnih baterij.pdf