Samsung lansira 12nm nivo 32 GB DDR5 DRAM in podpira do 128 GB pomnilniških modulov
Kot poroča WCCFTECH, je Samsung napovedal začetek prve svetovne 32 GB DDR5 DRAM rešitve, ki temelji na 12nm procesni tehnologiji, ki lahko podpira do 128 GB pomnilniških modulov.
Doslej so proizvajalci pomnilnika, kot sta SK Hynix in Micron, zagotovili 24 GB DDR5 DRAM, ki lahko doseže 96 GB pomnilnika, vendar ima Samsung povečano zmogljivost za 33,3% z raztopino 12 nm.Hkrati je Micron potrdil tudi lansiranje 32 GB DDR5 DRAM, vendar je do zdaj izšel le načrt.
Samsung je maja letos napovedal začetek množične proizvodnje 12 nm nivoja 16 GB DDR5.Nova 12nm stopnje 32 GB DDR5 naj bi začela množično proizvodnjo konec letošnjega leta.
Samsung je izjavil, da lahko z 12 nm nivo 32 GB rešitev, ki lahko doseže do 1TB dramskih modulov, v dobi umetne inteligence doseže naraščajoče povpraševanje po dram z visoko zmogljivostjo.
Samsung je svoj prvi 64KB dram razvil leta 1983 in v zadnjih štiridesetih letih uspešno povečal svojo dramsko zmogljivost za 500000 -krat.
Samsungovi najnovejši pomnilniški izdelki so razviti z vrhunskimi procesi in tehnologijami za izboljšanje gostote integracije in optimizacije oblikovanja.Imajo najvišjo enotno zmogljivost v industriji in zagotavljajo dvakrat večjo zmogljivost 16 GB DDR5 DRAM v isti velikosti embalaže.
Prej so DDR5 128GB DRAM moduli, izdelani z uporabo 16 GB DRAM, zahtevali uporabo tehnologije silicija skozi luknjo (TSV).Zdaj lahko z uporabo Samsung 32 GB DRAM lahko proizvedemo 128 GB modulov brez uporabe tehnologije TSV, hkrati pa zmanjšanje porabe energije za približno 10% v primerjavi z 128 GB modulov z uporabo 16 GB DRAM.Ta tehnološki preboj je ta izdelek ena najboljših rešitev za podjetja, ki se zavedajo energetske učinkovitosti, kot so podatkovni centri.
Na podlagi 12nm nivoja 32 GB DDR5 DDR5 načrtuje, da bo nadaljeval širjenje svoje dramske linije z visoko zmogljivostjo, da bi zadovoljil trenutne in prihodnje potrebe računalništva in IT industrije.Samsung bo ponovno potrdil svoj vodilni položaj na trgu dramske naslednje generacije, tako da bo kupcem v podatkovnih centrih, umetni inteligenci in računalniških aplikacijah naslednje generacije zagotovil 12nm nivo 32 GB.
Samsung je maja letos napovedal začetek množične proizvodnje 12 nm nivoja 16 GB DDR5.Nova 12nm stopnje 32 GB DDR5 naj bi začela množično proizvodnjo konec letošnjega leta.
Samsung je izjavil, da lahko z 12 nm nivo 32 GB rešitev, ki lahko doseže do 1TB dramskih modulov, v dobi umetne inteligence doseže naraščajoče povpraševanje po dram z visoko zmogljivostjo.
Samsung je svoj prvi 64KB dram razvil leta 1983 in v zadnjih štiridesetih letih uspešno povečal svojo dramsko zmogljivost za 500000 -krat.
Samsungovi najnovejši pomnilniški izdelki so razviti z vrhunskimi procesi in tehnologijami za izboljšanje gostote integracije in optimizacije oblikovanja.Imajo najvišjo enotno zmogljivost v industriji in zagotavljajo dvakrat večjo zmogljivost 16 GB DDR5 DRAM v isti velikosti embalaže.
Prej so DDR5 128GB DRAM moduli, izdelani z uporabo 16 GB DRAM, zahtevali uporabo tehnologije silicija skozi luknjo (TSV).Zdaj lahko z uporabo Samsung 32 GB DRAM lahko proizvedemo 128 GB modulov brez uporabe tehnologije TSV, hkrati pa zmanjšanje porabe energije za približno 10% v primerjavi z 128 GB modulov z uporabo 16 GB DRAM.Ta tehnološki preboj je ta izdelek ena najboljših rešitev za podjetja, ki se zavedajo energetske učinkovitosti, kot so podatkovni centri.
Na podlagi 12nm nivoja 32 GB DDR5 DDR5 načrtuje, da bo nadaljeval širjenje svoje dramske linije z visoko zmogljivostjo, da bi zadovoljil trenutne in prihodnje potrebe računalništva in IT industrije.Samsung bo ponovno potrdil svoj vodilni položaj na trgu dramske naslednje generacije, tako da bo kupcem v podatkovnih centrih, umetni inteligenci in računalniških aplikacijah naslednje generacije zagotovil 12nm nivo 32 GB.